Wolfspeed Kit-CRD-3DD065P评估套件产品介绍

简介

Wolfspeed/Cree降压升压评估套件（Kit-CRD-3DD065P）演示了650V 60mΩSiC（碳化硅）C3M的开关和热性能™ TO-247-4L封装中的MOSFET配置为半桥拓扑。这些SiC MOSFET的TO-247-4L封装中包含的开尔文源引脚将栅极驱动回路与电源端子分离。因此，由于源电流上升，电压降不会减慢导通速度，从而显著降低导通损耗。评估套件还接受传统的TO247-3L包，无需任何额外的适配器。此功能使最终用户能够测试和比较各种封装中C3M MOSFET的性能。

特征

设计用于测量：

正时（TDelay On、TDelay Off、TRise、TFall）

超调量（VDS最大值、ID最大值）

速度（di/dt，dv/dt）

开关损耗（EON、EOFF、ERR）

运行期间的效率高达2.5kW

最大直流输入/输出电压为450V

100kHz时的最大功率为2.5kW（受板载电感器的限制，使用备用电感器可实现更高的电平）

应用

工业电源

服务器和电信

电动汽车充电系统

工具包内容

印刷电路板（PCB）

C3M0075120K C3M 1200V 75mΩMOSFET

C3M0065K C3M 650V 60mΩMOSFET

散热片

资源

申请书

示意图

物料清单（BOM）

电路板布局（顶部）

电路板布局（底部）

示例拓扑