SK海力士宣布明年计划投入10万亿韩元设施投资

SK海力士因去年下半年消费电子产品需求下滑导致存储芯片需求减少，营收持续同比大幅下滑。从去年四季度到今年三季度，SK海力士均亏损连连。去年10月份，SK海力士已决定削减今年的投资。但根据最新报导，SK海力士在削减今年投资后，计划增加明年的投资。他们已决定将明年的设施投资增加至约10万亿韩元。

SK海力士这笔资本开支意在满足AI时代激增的需求，投资将聚焦于两方面：

第一是为高附加值DRAM芯片扩建设施，包括HBM3、DDR5及LPDDR5；第二则是升级HBM的TSV（硅通孔）先进封装技术。

在上个月末的财报会议上，SK海力士曾透露，2024年的HBM3与HBM3E产能已全部售罄，正在与客户、合作伙伴讨论2025年HBM产量与供应。而本次报道指出，不仅是2024年的产能，SK海力士HBM 2025年的预期产能也出现了完全售罄的迹象。

而本次资本开支重点之一的TSV技术，也有助于帮助扩大HBM产能。TSV技术是一种垂直互联技术。与平面互联的方式相比，TSV可以减小互联长度和信号延迟，降低寄生电容和电感，实现芯片的低功耗和高速通信，增加带宽和实现封装的小型化。例如，英伟达的A100产品便应用了TSV技术。

虽然DRAM市场表现良好，但与之形成鲜明对比的是，SK海力士预计明年上半年NAND闪存市场依旧疲软。因此，公司计划限制NAND闪存投资，甚至降至最低水平。