存储大厂启动平泽P4工厂1c纳米DRAM产线

据韩媒引述业界消息称，已证实三星电子正准备向P4引进DRAM处理设备。线路建设已全面启动，目标是明年6月投入运营，生产第六代1c制程 DRAM。

另据消息称，三星电子正在考虑将1c DRAM用于HBM4（第6代HBM），计划于明年下半年出货。因此P4很有可能成为下一代HBM生产的前沿基地。

据此前消息，三星平泽P4是综合性半导体生产中心，分为四期计划。三星早期规划，一期生产NAND Flash闪存，二期为逻辑代工，三期及四期为DRAM內存。三星已在P4一期导入DRAM设备，却宣布搁置二期建设。

1c纳米制程DRAM是第六代10纳米级DRAM制程，但1c DRAM目前尚未商业化，三星电子和SK海力士都在积极准备量产。

其中，三星计划2024年底启动1c纳米生产，考虑2025下半年推出HBM4采用1c纳米DRAM裸片，或以更先进DRAM制程提升HBM4竞争力。