近日，工信部官网显示，1—4月，我国电子信息制造业生产稳步增长，出口恢复向好，效益持续改善，投资保持较快增长，行业整体增势明显。

据媒体报道，日本经济产业省最近宣布，将加强对半导体、先进电子零部件、蓄电池、机床及工业机器人、飞机零部件等五个关键产业领域的监管措施，以防止技术外泄风险。

根据 TrendForce 集邦咨询研究显示，由于企业级（Enterprise）SSD在2024年二月开始大量应用于人工智能服务器，同时PC和智能手机制造商为了对抗价格上涨并持续增加库存，2024年第一季度NAND Flash营收环比增长了28.1%，达到了147.1亿美元。

三星电子正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

SK海力士正在开发一种新概念，即增加了计算和通信功能的下一代HBM。该战略旨在扩大与HBM市场后来者的差距，该市场的竞争正在通过差异化的技术和性能不断升温。

美光科技计划在日本广岛县建造一家新的DRAM芯片工厂，目标是最快在2027年底投入运营。总投资估计在6000-8000亿日元之间。美光原本早就有在日建厂的计划，最初的计划曾预计推动新厂在2024年便投入营运。但此前，由于市场状况不佳，这一建厂计划一度遭到搁置。

根据台积电在其技术研讨会上透露的信息，去年下半年半导体市场才开始复苏，因此分析师对今年的增长持谨慎态度。尽管PC和智能手机领域今年的增长预期仅为个位数，但有一个半导体市场预计将增长约250%，那就是AI加速器市场。

台积电高管黄远国表示，因应高效能运算（HPC）及智能手机强劲需求，台积电今年持续积极扩产，将兴建7座工厂，预计今年3纳米制程产能较2023年相比将增加3倍。

继HBM之后，三星电子2024年的首要任务就是在代工业务方面抢下GPU大厂英伟达(NVIDIA)的订单。尤其是，随着晶圆代工龙头台积电面临地震等风险，三星电子迫切寻求机会，为英伟达打造第二代3纳米制程的供应链。

三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。据悉，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 17%，但面向闪存盘等便携存储设备的 128Gb（16Gx8）MLC 通用闪存的价格却按兵不动。