日本的7.6级地震迫使石川县的芯片和电子公司暂时关门，由于现阶段半导体仍处下行周期，且时序已进入淡季，部分零组件仍有库存，加上多数工厂落在震度4至5级，均在工厂耐震设计范围内。

经历漫长的下行周期之后，存储芯片市场价格止跌，部分型号存储芯片价格出现反弹。三星电子计划在今年第四季将NAND价格上调10~15%，预计明年上半年还会再成长10%至20%。这一举措预示着存储芯片市场的复苏，也反映出三星电子对市场需求的乐观预期。

NAND Flash供应商减产效益显现，市调机构预期，第4季合约价将全面上扬，涨幅达8%至13%。机构表示，NAND Flash价格涨势能否延续到2024年，应视供应商是否维持减产策略，以及服务器对企业级固态硬盘（SSD）需求情况而定。

西部数据目前就NAND闪存生产业务合并进行谈判，他们将打造全球最大的NAND闪存制造商。该计划涉及剥离西部数据的闪存业务部门，即将敲定，但细节仍在审议中。如果一切按预期进行，合并将获得日本主要银行的大量财务支持。

为了增强其新一代NAND闪存的竞争力，三星电子将在2024年升级其NAND核心设备供应链。为了明年彻底改变NAND核心设备供应链，各大NAND生产基地都在积极进行设备运行测试。

据韩媒援引业内人士消息称，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周水平。今年年初，三星NAND库存水位超过20周，最高一度飙升至28周，但最近已降至18周。据悉，三星下半年的晶圆投入量将较上半年减少10%，目前公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。

因存储器市况低迷，三星电子将暂停韩国平泽园区第一工厂（P1）部分NAND Flash生产。该生产区主要负责生产128层堆叠的第6代V-NAND。据悉，该设备将停产至少一个月，但可能会延长至2023年下半年。

据TrendForce集邦咨询研究显示，第一季NAND Flash买方采购动能保守，供应商持续透过降价求售，但第一季NAND Flash位元出货量仅微幅环比增长2.1%，平均销售（ASP）单价季减15%，合计NAND Flash产业营收约86.3亿美元，环比减少16.1%。

美光宣布，已开始量产全球首款232层的3D TLC NAND闪存，采用领先行业的创新技术，为存储解决方案带来了前所未有的性能。初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

2020年9月份SK海力士宣布斥资90亿美元收购Intel的NAND闪存业务，并于去年底完成了第一阶段的交易，接手了Intel的闪存业务，也包括位于中国大连的闪存芯片工厂。日前SK海力士宣布在中国再建新的闪存工厂，其非易失性存储器制造项目在辽宁大连开工，该项目将建设一座新的晶圆工厂，生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。